casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85RC64TAPNF-G-BDERE1
codice articolo del costruttore | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 3.4MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1-FT |
IS25LQ020B-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
24FC1025-I/SM
Microchip Technology
IS25WP128-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
GD25D05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel