casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25D10CTIGR
codice articolo del costruttore | GD25D10CTIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25D10CTIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25D10CTIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25D10CTIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25D10CTIGR-FT |
W25Q64FVSSIP
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIQ
Winbond Electronics
W25Q80BLSSIG
Winbond Electronics
W25Q80BLSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q80BVSSIG
Winbond Electronics
W25Q80BVSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q80BWSSIG
Winbond Electronics
W25Q80BWSSIG TR
Winbond Electronics
W25X16AVSSIG
Winbond Electronics
W25X16VSSIG
Winbond Electronics
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel