casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25D05CTIGR
codice articolo del costruttore | GD25D05CTIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25D05CTIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25D05CTIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25D05CTIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25D05CTIGR-FT |
W25Q64FVSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIP
Winbond Electronics
W25Q64FVSSIQ
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W25Q80BLSSIG
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W25Q80BLSSIG TR
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W25Q80BVSSIG
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W25Q80BVSSIG TR
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W25Q80BWSSIG
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W25Q80BWSSIG TR
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W25X16AVSSIG
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LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
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LCMXO2280E-3T144C
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XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
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5SGXMA7N3F40C3
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5SGSED6K2F40I2LN
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LFXP2-30E-6FN484C
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EP3SE110F780I3
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