casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85RC64APNF-G-JNE1
codice articolo del costruttore | MB85RC64APNF-G-JNE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85RC64APNF-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC64APNF-G-JNE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 550ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC64APNF-G-JNE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85RC64APNF-G-JNE1-FT |
70T3799MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
GD25Q64CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25S512MDYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel