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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR

Numero parte MFG
GD25S512MDYIGR
quantità disponibile
53600 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 4.14784
Il nostro prezzo
Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
Data di spedizione
Oggi possiamo spedire
fabbricante
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Breve descrizione
- NOR FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
GD25S512MDYIGR.pdf
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GD25S512MDYIGR specificazioni

codice articolo del costruttore GD25S512MDYIGR
Numero di parte futuro FT-GD25S512MDYIGR
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GD25S512MDYIGR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NOR
Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock 104MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 50µs, 2.4ms
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O
Tensione - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (6x8)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GD25S512MDYIGR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GD25S512MDYIGR-FT

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