casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25Q64CYIGR
codice articolo del costruttore | GD25Q64CYIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25Q64CYIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25Q64CYIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 2.4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25Q64CYIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25Q64CYIGR-FT |
71V016SA15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHG
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71V416L12PHG
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71V016SA20PHG
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71V424L15PHG
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71V416L12PHGI
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