casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25Q64CYIGR
codice articolo del costruttore | GD25Q64CYIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25Q64CYIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25Q64CYIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 2.4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25Q64CYIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25Q64CYIGR-FT |
71V016SA15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel