casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85RC16PNF-G-JNE1
codice articolo del costruttore | MB85RC16PNF-G-JNE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85RC16PNF-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC16PNF-G-JNE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 550ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC16PNF-G-JNE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85RC16PNF-G-JNE1-FT |
6116SA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA20DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel