casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 6116SA90DB
codice articolo del costruttore | 6116SA90DB |
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Numero di parte futuro | FT-6116SA90DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA90DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 90ns |
Tempo di accesso | 90ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA90DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6116SA90DB-FT |
71V016SA12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG
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