casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 6116SA70DB
codice articolo del costruttore | 6116SA70DB |
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Numero di parte futuro | FT-6116SA70DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA70DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA70DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6116SA70DB-FT |
71V416S12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel