casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M95512-DRMN8TP/K
codice articolo del costruttore | M95512-DRMN8TP/K |
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Numero di parte futuro | FT-M95512-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRMN8TP/K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 16MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRMN8TP/K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M95512-DRMN8TP/K-FT |
70V5388S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
BQ2024DBZR
Texas Instruments
BQ2024DBZRG4
Texas Instruments
BQ2022ADBZR
Texas Instruments
BQ2022ADBZRG4
Texas Instruments
BQ2026DBZR
Texas Instruments
BQ2022DBZR
Texas Instruments
BQ2022DBZRG4
Texas Instruments
XC2VP70-6FF1517C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel