casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V5388S200BG8
codice articolo del costruttore | 70V5388S200BG8 |
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Numero di parte futuro | FT-70V5388S200BG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V5388S200BG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Quad Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 1.125Mb (64K x 18) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 272-BBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 272-PBGA (27x27) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V5388S200BG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V5388S200BG8-FT |
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB5432BEBH-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB1316BDBH-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel