casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BQ2022ADBZRG4
codice articolo del costruttore | BQ2022ADBZRG4 |
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Numero di parte futuro | FT-BQ2022ADBZRG4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ2022ADBZRG4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Dimensione della memoria | 1Kb (256b x 4 pages) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Single Wire |
Tensione - Fornitura | 2.65V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ2022ADBZRG4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BQ2022ADBZRG4-FT |
EDB1316BDBH-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB1332BDBH-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel