casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M58LT256JST8ZA6E
codice articolo del costruttore | M58LT256JST8ZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-M58LT256JST8ZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58LT256JST8ZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 52MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 85ns |
Tempo di accesso | 85ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 80-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 80-LBGA (10x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58LT256JST8ZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M58LT256JST8ZA6E-FT |
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 V:E
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel