casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
codice articolo del costruttore | MT41K512M8RH-125 AAT:E TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT41K512M8RH-125 AAT:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 13.75ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K512M8RH-125 AAT:E TR-FT |
M29W400DT55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W640FB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6EP
Micron Technology Inc.
M29W640GH70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6EP
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel