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Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 V:E

Name: MT41K512M8RH-125 V:E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT41K512M8RH-125 V:E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (351 reviews)

Numero parte MFG: MT41K512M8RH-125 V:E

quantità disponibile: 18680 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Micron Technology Inc.

Breve descrizione: - IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MT41K512M8RH-125 V:E.pdf

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MT41K512M8RH-125 V:E specificazioni

codice articolo del costruttore	MT41K512M8RH-125 V:E
Numero di parte futuro	FT-MT41K512M8RH-125 V:E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT41K512M8RH-125 V:E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria	4Gb (512M x 8)
Frequenza di clock	800MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	13.75ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.283V ~ 1.45V
temperatura di esercizio	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	78-FBGA (9x10.5)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT41K512M8RH-125 V:E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MT41K512M8RH-125 V:E-FT

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