casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M58BW32FB4D150
codice articolo del costruttore | M58BW32FB4D150 |
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Numero di parte futuro | FT-M58BW32FB4D150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58BW32FB4D150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 32Mb (4M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58BW32FB4D150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M58BW32FB4D150-FT |
M29W640GT70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT90NA6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB45ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB70M6
Micron Technology Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel