casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W800DB45ZE6F TR
codice articolo del costruttore | M29W800DB45ZE6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W800DB45ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800DB45ZE6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB45ZE6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W800DB45ZE6F TR-FT |
M29W128GL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZS6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL90N6E
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel