casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W640GT70NA6F TR
codice articolo del costruttore | M29W640GT70NA6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W640GT70NA6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GT70NA6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GT70NA6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W640GT70NA6F TR-FT |
M29W128GH7AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH7AZS6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6DE
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel