casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / M5060SB1000
codice articolo del costruttore | M5060SB1000 |
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Numero di parte futuro | FT-M5060SB1000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M5060SB1000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M5060SB1000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M5060SB1000-FT |
GBJ2508-F
Diodes Incorporated
GBJ1506-F
Diodes Incorporated
GBJ1510-F
Diodes Incorporated
GBJ808-F
Diodes Incorporated
GBJ804-F
Diodes Incorporated
GBJ2010-F
Diodes Incorporated
GBJ2001-F
Diodes Incorporated
GBJ1006-F
Diodes Incorporated
GBJ801
Diodes Incorporated
GBJ602-F
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-N3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C2LN
Intel
10AX048H2F34E2SG
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3SG
Intel
EP20K160EQI240-3
Intel
EP1K50QC208-2
Intel