casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ1006-F
codice articolo del costruttore | GBJ1006-F |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ1006-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1006-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1006-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ1006-F-FT |
DSRHD08-13
Diodes Incorporated
DSRHD10-13
Diodes Incorporated
W005G
Diodes Incorporated
W01G
Diodes Incorporated
W02G
Diodes Incorporated
W04G
Diodes Incorporated
W06G
Diodes Incorporated
W08G
Diodes Incorporated
W10G
Diodes Incorporated
RS401L
Diodes Incorporated
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQ100
Microsemi Corporation
M1A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C5N
Intel
EPF10K30AQI240-3N
Intel