casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2010-F
codice articolo del costruttore | GBJ2010-F |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2010-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2010-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2010-F-FT |
DSRHD04-13
Diodes Incorporated
DSRHD06-13
Diodes Incorporated
DSRHD08-13
Diodes Incorporated
DSRHD10-13
Diodes Incorporated
W005G
Diodes Incorporated
W01G
Diodes Incorporated
W02G
Diodes Incorporated
W04G
Diodes Incorporated
W06G
Diodes Incorporated
W08G
Diodes Incorporated
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
EP20K400FC672-3
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
Intel
EP20K160EBC356-1N
Intel