casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / M50100THC1600
codice articolo del costruttore | M50100THC1600 |
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Numero di parte futuro | FT-M50100THC1600 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M50100THC1600 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100THC1600 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M50100THC1600-FT |
MBR60030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60080CTR
GeneSiC Semiconductor
EPF10K20TC144-4
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC2V500-4FG456I
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC256-1N
Intel
10M50DCF672C8G
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
EPF10K50VRC240-3N
Intel