casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M48Z512A-70PM1
codice articolo del costruttore | M48Z512A-70PM1 |
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Numero di parte futuro | FT-M48Z512A-70PM1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M48Z512A-70PM1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PMDIP Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z512A-70PM1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M48Z512A-70PM1-FT |
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel