casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W640GL70ZF6F TR
codice articolo del costruttore | M29W640GL70ZF6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W640GL70ZF6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GL70ZF6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-TBGA (10x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GL70ZF6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W640GL70ZF6F TR-FT |
M29W064FT70N3E
Micron Technology Inc.
M29W064FT70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N3E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZA3E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GH70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GH7AN6E
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel