casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W128GH60ZA6E
codice articolo del costruttore | M29W128GH60ZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29W128GH60ZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GH60ZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 60ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-TBGA (10x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GH60ZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W128GH60ZA6E-FT |
M29F040B70N1
Micron Technology Inc.
M29F040B70N1T TR
Micron Technology Inc.
M29F040B70N6
Micron Technology Inc.
M29F040B70N6E
Micron Technology Inc.
M29F040B90K1
Micron Technology Inc.
M29F040B90K6
Micron Technology Inc.
M29F040B90N1
Micron Technology Inc.
M29F040B90N1T TR
Micron Technology Inc.
M29F040B90N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70M6
STMicroelectronics
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel