casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W128GH7AN6E
codice articolo del costruttore | M29W128GH7AN6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29W128GH7AN6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GH7AN6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GH7AN6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W128GH7AN6E-FT |
M29F040B90N1T TR
Micron Technology Inc.
M29F040B90N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70M6
STMicroelectronics
M29F080D70N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70N6E
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5KN3E2
Micron Technology Inc.