casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F800FB55M3F2 TR
codice articolo del costruttore | M29F800FB55M3F2 TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29F800FB55M3F2 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800FB55M3F2 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800FB55M3F2 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29F800FB55M3F2 TR-FT |
M28W320HST70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6F TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel