casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F800FB55M3F2 TR
codice articolo del costruttore | M29F800FB55M3F2 TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29F800FB55M3F2 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800FB55M3F2 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800FB55M3F2 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29F800FB55M3F2 TR-FT |
M28W320HST70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6F TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel