casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M28W640HCT70N6E

| codice articolo del costruttore | M28W640HCT70N6E |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-M28W640HCT70N6E |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| M28W640HCT70N6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M28W640HCT70N6E Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | M28W640HCT70N6E-FT |

LH5116NA-10F
Sharp Microelectronics

LHF00L31
Sharp Microelectronics

M24128-BFCS6TP/A
STMicroelectronics

M25P05-AVMB6TP TR
Micron Technology Inc.

M25P10-AVMB3TP/Y TR
Micron Technology Inc.

M25P10-V6D11
Micron Technology Inc.

M25P16-V6D11
Micron Technology Inc.

M25P20-AV3D11
Micron Technology Inc.

M25P40-VMB3TPB TR
Micron Technology Inc.

M25P40-VMB6TPB TR
Micron Technology Inc.

A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation

LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.

XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.

XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.

5CEBA9F27C7N
Intel

5SGXEA5H1F35I2N
Intel

LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

5AGXMA3D4F31I3G
Intel

EPF10K30AQC208-1N
Intel