casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M28W640HCT70ZB6E
codice articolo del costruttore | M28W640HCT70ZB6E |
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Numero di parte futuro | FT-M28W640HCT70ZB6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M28W640HCT70ZB6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6.39x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M28W640HCT70ZB6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M28W640HCT70ZB6E-FT |
LHF00L31
Sharp Microelectronics
M24128-BFCS6TP/A
STMicroelectronics
M25P05-AVMB6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P10-AVMB3TP/Y TR
Micron Technology Inc.
M25P10-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P20-AV3D11
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMP6TGB0D TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel