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Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6

Name: TH58BYG2S3HBAI6
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TH58BYG2S3HBAI6
Price: 4.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (752 reviews)

Numero parte MFG: TH58BYG2S3HBAI6

quantità disponibile: 27830 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 4.928

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Memory America, Inc.

Breve descrizione: Benand™ IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TH58BYG2S3HBAI6.pdf

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TH58BYG2S3HBAI6 specificazioni

codice articolo del costruttore	TH58BYG2S3HBAI6
Numero di parte futuro	FT-TH58BYG2S3HBAI6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Benand™
TH58BYG2S3HBAI6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria	4Gb (512M x 8)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	67-VFBGA (6.5x8)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58BYG2S3HBAI6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TH58BYG2S3HBAI6-FT

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