casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M24C01-WMN6TP/S
codice articolo del costruttore | M24C01-WMN6TP/S |
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Numero di parte futuro | FT-M24C01-WMN6TP/S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24C01-WMN6TP/S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frequenza di clock | 400kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 900ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C01-WMN6TP/S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M24C01-WMN6TP/S-FT |
TH58BVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.