casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M24128-BWMN6TP
codice articolo del costruttore | M24128-BWMN6TP |
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Numero di parte futuro | FT-M24128-BWMN6TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24128-BWMN6TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 450ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24128-BWMN6TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M24128-BWMN6TP-FT |
W97BH2KBVX2E
Winbond Electronics
W97BH2KBVX2I
Winbond Electronics
W97BH6KBVX2E
Winbond Electronics
W97BH6KBVX2I
Winbond Electronics
THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIT
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel