casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W97BH6KBVX2E
codice articolo del costruttore | W97BH6KBVX2E |
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Numero di parte futuro | FT-W97BH6KBVX2E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W97BH6KBVX2E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W97BH6KBVX2E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W97BH6KBVX2E-FT |
W25M512JVCIQ
Winbond Electronics
W25M512JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q128JVCIM
Winbond Electronics
W25Q128JVCIM TR
Winbond Electronics
W25Q128JVCIQ
Winbond Electronics
W25Q128JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q256JVCIM
Winbond Electronics
W25Q256JVCIM TR
Winbond Electronics
W25Q256JVCIQ
Winbond Electronics
W25Q256JVCIQ TR
Winbond Electronics
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel