casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LSIC2SD065A06
codice articolo del costruttore | LSIC2SD065A06 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LSIC2SD065A06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LSIC2SD065A06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 6A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSIC2SD065A06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSIC2SD065A06-FT |
JANTXV1N3673AR
Microsemi Corporation
JANTXV1N3766
Microsemi Corporation
JANTXV1N3766R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3768
Microsemi Corporation
JANTXV1N3768R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3893
Microsemi Corporation
JANTXV1N3911
Microsemi Corporation
JANTXV1N3912
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB2
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel