casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LSIC2SD065A06
codice articolo del costruttore | LSIC2SD065A06 |
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Numero di parte futuro | FT-LSIC2SD065A06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LSIC2SD065A06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 6A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSIC2SD065A06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSIC2SD065A06-FT |
JANTXV1N3673AR
Microsemi Corporation
JANTXV1N3766
Microsemi Corporation
JANTXV1N3766R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3768
Microsemi Corporation
JANTXV1N3768R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3893
Microsemi Corporation
JANTXV1N3911
Microsemi Corporation
JANTXV1N3912
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB2
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel