casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N3766R
codice articolo del costruttore | JANTXV1N3766R |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N3766R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/297 |
JANTXV1N3766R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 110A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N3766R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N3766R-FT |
JANTX1N3911
Microsemi Corporation
JANTX1N3911R
Microsemi Corporation
JANTX1N3912
Microsemi Corporation
JANTX1N4153UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N4458
Microsemi Corporation
JANTX1N4458R
Microsemi Corporation
JANTX1N4459
Microsemi Corporation
JANTX1N4459R
Microsemi Corporation
JANTX1N4938UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N5195
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel