casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N3912
codice articolo del costruttore | JANTXV1N3912 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N3912 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/308 |
JANTXV1N3912 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N3912 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N3912-FT |
JANTX1N4458R
Microsemi Corporation
JANTX1N4459
Microsemi Corporation
JANTX1N4459R
Microsemi Corporation
JANTX1N4938UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N5195
Microsemi Corporation
JANTX1N5196
Microsemi Corporation
JANTX1N5415US
Microsemi Corporation
JANTX1N5419US
Microsemi Corporation
JANTX1N5711-1/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5711UBD
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel