casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LS412660
codice articolo del costruttore | LS412660 |
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Numero di parte futuro | FT-LS412660 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LS412660 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 600A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.18V @ 1500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 2600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS412660 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LS412660-FT |
EGL41BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation