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codice articolo del costruttore | LQM21PH2R2NGCD |
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Numero di parte futuro | FT-LQM21PH2R2NGCD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQM21 |
LQM21PH2R2NGCD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 800mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 288 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 40MHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQM21PH2R2NGCD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQM21PH2R2NGCD-FT |
1269AS-H-6R8M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation