casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201610P-R33M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201610P-R33M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201610P-R33M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610P |
DFE201610P-R33M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 330nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.7A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 34 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-R33M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201610P-R33M=P2-FT |
LQG15WZ5N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ6N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ6N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ6N8H02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ6N8J02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ7N5H02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ7N5J02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ8N2H02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ8N2J02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ9N1H02D
Murata Electronics North America
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel