casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1269AS-H-6R8M=P2
codice articolo del costruttore | 1269AS-H-6R8M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-1269AS-H-6R8M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010C |
1269AS-H-6R8M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 516 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1269AS-H-6R8M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1269AS-H-6R8M=P2-FT |
LQG15WZ5N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N6S02D
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LQG15WZ6N2C02D
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LQG15WZ6N2S02D
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LQG15WZ6N8H02D
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LQG15WZ6N8J02D
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LQG15WZ7N5H02D
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LQG15WZ7N5J02D
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LQG15WZ8N2H02D
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XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
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XC4VFX20-10FFG672I
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LFE3-70EA-7FN1156C
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LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
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