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codice articolo del costruttore | LQG18HN8N2J00D |
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Numero di parte futuro | FT-LQG18HN8N2J00D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQG18 |
LQG18HN8N2J00D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Air |
Induttanza | 8.2nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 400mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.037" (0.95mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG18HN8N2J00D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQG18HN8N2J00D-FT |
DFE252012P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-3R3M=P2
Murata Electronics North America
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel