casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LL4151-GS18
codice articolo del costruttore | LL4151-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-LL4151-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LL4151-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 50mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL4151-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LL4151-GS18-FT |
BAT54-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV202-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ133-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS281-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101C-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103C-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ133-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ134-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel