casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT54-02V-V-G-08
codice articolo del costruttore | BAT54-02V-V-G-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54-02V-V-G-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54-02V-V-G-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54-02V-V-G-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54-02V-V-G-08-FT |
VS-40EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPH3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel