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codice articolo del costruttore | LAV35VBR27M |
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Numero di parte futuro | FT-LAV35VBR27M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VBR27M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 270nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 980mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 160MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VBR27M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAV35VBR27M-FT |
LAP02KR221K
Taiyo Yuden
LAP02KR270K
Taiyo Yuden
LAP02KR2R2K
Taiyo Yuden
LAP02KR2R7K
Taiyo Yuden
LAP02KR330K
Taiyo Yuden
LAP02KR390K
Taiyo Yuden
LAP02KR3R3K
Taiyo Yuden
LAP02KR3R9K
Taiyo Yuden
LAP02KR470K
Taiyo Yuden
LAP02KR4R7K
Taiyo Yuden
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel