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codice articolo del costruttore | LAV35VB3R9K |
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Numero di parte futuro | FT-LAV35VB3R9K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VB3R9K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 580mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 33MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB3R9K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAV35VB3R9K-FT |
LAN02TAR82K
Taiyo Yuden
LAP02KR100K
Taiyo Yuden
LAP02KR101K
Taiyo Yuden
LAP02KR120K
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LAP02KR121K
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LAP02KR180K
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Taiyo Yuden
LAP02KR1R0K
Taiyo Yuden
LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F31C8N
Intel
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel