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codice articolo del costruttore | LAL04NA150K |
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Numero di parte futuro | FT-LAL04NA150K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL04NA150K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 15µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 460mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 720 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 17MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04NA150K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAL04NA150K-FT |
LAL03TBR47M
Taiyo Yuden
LAL03TBR56M
Taiyo Yuden
LAL03TBR68M
Taiyo Yuden
LAL03TBR82M
Taiyo Yuden
LAL03VB100K
Taiyo Yuden
LAL03VB101K
Taiyo Yuden
LAL03VB102K
Taiyo Yuden
LAL03VB120K
Taiyo Yuden
LAL03VB121K
Taiyo Yuden
LAL03VB150K
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel