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codice articolo del costruttore | LAL03VB120K |
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Numero di parte futuro | FT-LAL03VB120K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03VB120K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 12µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 150mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 19MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03VB120K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAL03VB120K-FT |
LAL03NAR82M
Taiyo Yuden
LAL03T102K
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Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel