casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LAL03NAR82M
codice articolo del costruttore | LAL03NAR82M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LAL03NAR82M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03NAR82M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 290mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 740 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 170MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03NAR82M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAL03NAR82M-FT |
LAL02VD820K
Taiyo Yuden
LAL02VD8R2K
Taiyo Yuden
LAL02VDR22K
Taiyo Yuden
LAL02VDR27K
Taiyo Yuden
LAL02VDR33K
Taiyo Yuden
LAL02VDR39K
Taiyo Yuden
LAL02VDR47K
Taiyo Yuden
LAL02VDR56K
Taiyo Yuden
LAL02VDR68K
Taiyo Yuden
LAL02VDR82K
Taiyo Yuden
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel