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codice articolo del costruttore | LAL02VDR27K |
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Numero di parte futuro | FT-LAL02VDR27K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL02VDR27K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 270nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 380mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 430 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 410MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02VDR27K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAL02VDR27K-FT |
LAL02TB180K
Taiyo Yuden
LAL02TB181K
Taiyo Yuden
LAL02TB1R0K
Taiyo Yuden
LAL02TB1R2K
Taiyo Yuden
LAL02TB1R5K
Taiyo Yuden
LAL02TB1R8K
Taiyo Yuden
LAL02TB220K
Taiyo Yuden
LAL02TB221K
Taiyo Yuden
LAL02TB270K
Taiyo Yuden
LAL02TB2R2K
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel