casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / L6221CD013TR
codice articolo del costruttore | L6221CD013TR |
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Numero di parte futuro | FT-L6221CD013TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L6221CD013TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 4 NPN Darlington (Quad) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 20-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L6221CD013TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L6221CD013TR-FT |
BCM847DS,115
Nexperia USA Inc.
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMX2T108
Rohm Semiconductor
IMX8T108
Rohm Semiconductor
HN1C01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
BC807DS,115
Nexperia USA Inc.
BC817DPN,125
Nexperia USA Inc.
BC817DSF
Nexperia USA Inc.
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S1500L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGXEA7K2F35I3L
Intel
AX500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP2C20Q240C8
Intel